本发明属于太阳电池技术领域，特别涉及一种在晶体硅太阳电池前表面具有减反射和钝化功能的薄膜的制备方法。其具体步骤是：(1)电池前期工艺：选用衬底为织构化的单晶或多晶硅片的基板，并进行扩散制备p-n结；(2)离子表面轰击：在高真空环境下充入氩气，用离子源对衬底进行表面处理；(3)薄膜沉积：在基板被加热的情况下，充入反应气体，采用中频孪生靶磁控溅射，在衬底上沉积出含氢的氮化硅薄膜或者二氧化硅/含氢的氮化硅薄膜；(4)高温烧结：印刷电池后对电池进行高温烧结。该制备方法原料来源广泛、成本较低且使用安全，制备工艺的温度以及能耗较低，大面积沉积的均匀性好，此外沉积出的薄膜能显著增加太阳电池的少子寿命，降低表面反射率，提升晶体硅太阳电池的光学及电学性能。