本发明涉及一种冷壁流化床及其应用，属于多晶硅制备技术领域。其提供一种以改进的冷壁流化床，及以其为设备，用三氯氢硅（SiHCl₃）和H₂为原料，在冷壁流化床内，高温加压下发生还原反应，制备高纯度颗粒状太阳能级多晶硅。本发明以此冷壁流化床为基础，制备高纯度颗粒状太阳能级多晶硅，其生产过程简单方便，适于工业化生产。