本发明涉及一种柔性硅基砷化镓电池的制备方法，属于薄膜太阳能电池制造领域，适用于地面高效聚光发电系统，同时由于其高效轻质量等特性是目前空间电源的首选。该方法首先采用两片单晶硅片氧化、键合、抛光后制备成超薄硅衬底，利用金属有机气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）方法生长Ge-Si缓冲层和多结太阳能电池材料，然后正面采用光刻胶保护，背面采用化学腐蚀进行减薄，最后制备成电池。该发明以柔性的超薄硅作为最终衬底，能获得极大的比功率（2000W/Kg），大大降低空间电源的发射成本，同时其卷曲的特性能够更加适应地面特殊环境的发电，加快太阳能发电的应用和发展。