本发明提供了一种沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该沉积氮化硅膜的方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，平板式PECVD的带速为180~200cm/min，平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为11且反应气体中各气体组分的体积比为a；后（n+1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q₂且反应气体中各气体组分的体积比为b，Q₁和Q₂不相等，a和b不相等。本发明在高带速下沉积氮化硅膜，通过改变反应气的流量控制方法得到两层氮化硅膜，改善了氮化硅膜的减反射作用。