本发明公开了一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法，包括如下步骤：(1) 将生长掺杂剂的硅片放于扩散炉中，升温至750~800℃，炉内环境为N₂，N₂流量10~30 slm；(2) 待温度稳定后，使炉内各温区的温度均升至850~900℃，升温的同时通入0.2~2 slm携三氯乙烷的N₂、1~5 slm O₂和10~30 slm N₂气体，以实现重掺，重掺方阻控制在30~60Ω/□；(3) 将各温区降至扩散温度820~840℃，通入携POCl₃的N₂进行扩散；(4) 将各温区的温度降至780~800℃，停止通入携POCl₃的N₂，推进时间为10~25 min，以实现浅掺，浅掺方阻控制在70~120Ω/□；(5) 将硅片降温，取出硅片，完成扩散过程。本发明采用高温实现掺杂剂扩散，实现了选择性发射极的重掺和浅掺，同时对多晶硅材料进行了吸杂，大大提高了转换效率。