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一种高效背接触晶体硅太阳能电池及其制作方法
编号:S000031508 刷新日期: 有效日期至:2020-11-21 浏览:2143 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种高效背接触晶体硅太阳能电池及其制作方法,通过在非受光面钝化层制作P型区通孔及N型区通孔,且所述同种类型的通孔位于同一直线上,不同类型的通孔所在的直线不存在交点,然后将正电极和负电极分别与P型区通孔和N型区通孔电气连接,将从P型区汇流导电带以及N型区汇流导电带汇集的光生电流引出。因此,相较于现有技术,本发明对正、负电极的定位精度的要求有了很大的降低,且正、负电极间的位置可以通过改变P型区通孔和N型区通孔的开孔位置来进行调整,具有可设计性。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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