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一种高效背接触晶体硅太阳能电池及其制作方法
编号:S000031508
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-21
浏览:
2437
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种高效背接触晶体硅太阳能电池及其制作方法,通过在非受光面钝化层制作P型区通孔及N型区通孔,且所述同种类型的通孔位于同一直线上,不同类型的通孔所在的直线不存在交点,然后将正电极和负电极分别与P型区通孔和N型区通孔电气连接,将从P型区汇流导电带以及N型区汇流导电带汇集的光生电流引出。因此,相较于现有技术,本发明对正、负电极的定位精度的要求有了很大的降低,且正、负电极间的位置可以通过改变P型区通孔和N型区通孔的开孔位置来进行调整,具有可设计性。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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