本发明公开了一种下层配置的n-i-p结构的CdTe薄膜太阳能电池，该电池包括：衬底，在衬底上依次生长有金属Mo复合背电极层、重掺杂p^＋-CdTe层、i-CdTe层、n-CdS层、前电极透明导电氧化物薄膜层。本发明的优点是：i-CdTe／p^＋-CdTe同质结避免了界面的晶格失配和能带的不连续；重掺杂p^＋-CdTe层改善了中性CdTe:O层的内建电场，提高了载流子的收集率，显著降低了金属背电极和CdTe薄膜的接触势垒，提高了电池的开路电压；调节中性CdTe:O层的厚度可以实现对入射光辐射的最大吸收和转化，CdTe掺氧可以钝化缺陷同时降低Cu向中性CdTe:O层和n-CdS层的扩散；整个制备工艺可以在低于400℃的温度下进行。