本发明公开了一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法，由下列重量份数的各组份组成：氮气雾化铝粉65～85份、有机粘结剂15～30份、玻璃粉0.5～3份、助剂0.5～3份，所述氮气雾化铝粉为球形铝粉中位径D50：1.0～2.5μm，D90：2.25～5.0μm，跨度：1.25～1.7，铝粉为含量大于99.9%的球形铝粉。本发明克服了现有P型晶体硅在地面应用中仍然存在衰减的问题，提供了可用于铝背发射极N型太阳电池的背场铝浆，可提高晶体硅的少子寿命，以及减少光致衰减现象。本发明组份配比合理、制备工艺简单、制备的铝浆与N型衬底的附着力强，烧结制备的铝背场具有高掺杂、均匀性好、耐水煮和低翘曲等优点，适于工业化生产。