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腐蚀性载体及制备方法、晶体硅太阳能电池正/背面银导电浆料及制备方法
编号:S000031463 刷新日期: 有效日期至:2020-11-02 浏览:2059 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 广东 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了一种腐蚀性载体及其制备方法,该腐蚀性载体包括腐蚀剂、氧化剂、增稠剂和溶剂,其中,以腐蚀性载体的总质量为基准,腐蚀剂的含量为1.0~10wt%,氧化剂的含量为0.2~8.0wt%,增稠剂的含量为5.0~15wt%,溶剂的含量为75~95wt%。本发明还提供一种含有该腐蚀性载体的晶体硅太阳能电池正/背面银导电浆料及其制备方法。本发明提供的晶体硅太阳能电池正/背面银导电浆料,制得电极更容易与光伏焊带焊接,焊接强度也高,得到的太阳能电池串联电阻小,光电转化效率也高。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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