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> 技术详情
一种高光电转换率晶体硅太阳能电池及其制造方法
编号:S000031444
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-06
浏览:
2387
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 云南
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种高光电转换率晶体硅太阳能电池及其制造方法,所述电池包括晶体硅P-N结衬底;与晶体硅P-N结衬底P区欧姆接触的背电极;与晶体硅P-N结衬底N区欧姆接触的前栅电极;前栅电极细栅被包覆于减反射层之下;位于晶体硅P-N结衬底N区表面的SiO
2
层及其上的减反射层。所述制造方法包括清洗制绒步骤、扩散制结步骤、洗磷和刻蚀步骤、制备背电极步骤、光诱导电镀前栅电极步骤、氧化烧结步骤、电镀前栅电极步骤、制备减反射层步骤。本发明采用光诱导电镀前栅电极、氧化烧结,具有生产工艺简单、效率高、成本低和太阳能电池前栅电极阴影损失小、接触电阻及体电阻低、细前栅电极不易断线、电池表面反射率低、光电转化效率高的特点。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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