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制作具有织化表面的半导体层的方法、制作太阳能电池的方法
编号:S000031431 刷新日期: 有效日期至:2020-12-11 浏览:2473 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种制作具有织化表面的半导体层的方法与制作太阳能电池的方法,前者包括以下步骤:(a)提供图案化基板;(b)形成至少一半导体层于图案化基板之上;(c)形成金属层于半导体层之上;以及(d)对图案化基板与其上述各层进行热处理制程,以将半导体层转印到金属层之上并移除图案化基板,以得到具有织化(textured)表面的半导体层。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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