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一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极
编号:S000031364 刷新日期: 有效日期至:2020-12-12 浏览:2446 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极,用薄层Ag作为应力缓冲层并与Mo薄膜构成复合结构,由聚酰亚胺衬底、薄Mo薄膜层、Ag薄膜层和厚Mo薄膜层依次叠加构成,薄Mo薄膜层为高阻Mo层,Ag薄膜层为应力缓冲层,厚Mo薄膜层为阻挡层,阻挡层为双层Mo薄膜;该背电极用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极。本发明的优点是:采用简单、低廉的磁控溅射技术,制备薄Ag薄膜作为应力缓冲层来平衡聚酰亚胺衬底与Mo之间热膨胀系数不匹配所带来的应力,这种复合结构的背电极电阻率比较低,其反射率比较高,对于超薄CIGS电池效率的提升具有重要作用。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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