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通过钠还原四氟化硅制备太阳能级多晶硅的装置和方法
编号:S000031355 刷新日期: 有效日期至:2020-11-11 浏览:2022 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种通过钠还原四氟化硅法制备太阳能级多晶硅的装置和方法。该装置包括上下两室,上室为反应室,两室由通道相连接;上室内置石墨反应坩埚,石墨坩埚外围设有加热元件;石墨坩埚内底部呈倒锥形,中心开孔供液体物料坠入下室;该孔上覆盖一石墨双锥台,其上表面用于进行反应并阻挡液态钠直接坠入下室,该双锥台下锥的锥度与坩埚底部坡度相吻合,在该下锥的锥面上设有卸料通道,供液体物料汇流到石墨坩埚底部中心孔后坠入至下室的接收容器中。本发明利用氟化钠和硅的熔点差高效低成本地制得合格的太阳能级多晶硅,可以实现半连续的大规模工业生产。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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