本发明公开了一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法，包括如下步骤：(1)配置清洗液：将HF溶液和H₂O₂溶液进行混合，然后用碱液调节pH值，使其pH值控制在2~5之间，即可得到清洗液；其中，HF和H₂O₂的摩尔比为1：2~8，清洗液中HF的摩尔浓度为10~40mol/L；(2)将待处理的硅片放入上述清洗液中进行清洗，使清洗后的硅片的方块电阻提升5~10欧姆/sq。本发明开发了一种电池片的清洗方法，利用了氧化和去氧化结合的方法，可以较好地控制反应速度，从而易于控制腐蚀深度；同时，本发明的清洗液不会引入其他金属或有机杂质，反应后硅片表面易于清洗。