本发明涉及一种晶体硅太阳能电池均匀扩散制节方法。它具体有如下步骤：1）将制绒后的硅片表面制作发射极；2）将步骤1所得硅片采用HF酸溶液进行磷硅玻璃去除；3）将步骤2所得硅片表面进行高温退火。本发明使得硅片表面浓度降低，从而降低了表面复合及缺陷浓度，高温退火减少了硅片中的微缺陷和杂质离子，提高了少数载流子寿命；同时，PN结区的拓宽，使开路电压得到提高。本发明不仅可以有效的提高电池的转化效率，还可以提高扩散方阻的均匀性。