本发明公开了一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，包括N型硅衬底，N型硅衬底上下两个表面上均制成绒面，N型硅衬底上表面绒面上自下而上依次高温硼扩散掺杂沉积隔离层I(SiO₂)、P型掺杂层、隔离层I和P⁺型掺杂层四层结构；最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜；其中要在最后才实行埋电极与输出极的制备(上电极等丝网印刷技术)；N型硅衬底下表面绒面上自上而下进行背面的亚高温磷扩散掺杂，依次形成隔离层I(SiO₂)和N⁺型掺杂层构成NIN⁺的结构。