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> 技术详情
有源层掺杂PVP包覆NaYF
4
纳米颗粒的太阳能电池及其制备方法
编号:S000031287
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-29
浏览:
3260
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 吉林
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明具体涉及一种聚乙烯吡咯烷酮(PVP)包覆的NaYF
4
纳米颗粒对有源层进行掺杂的聚合物太阳能电池及其制备方法。首先采用溶剂热法制备PVP包覆的NaYF
4
纳米晶体颗粒,然后采用溶胶凝胶法在导电玻璃上生长作为电子传输层的TiO
2
纳米晶体薄膜,采用溶液旋涂方法在TiO
2
纳米晶体薄膜上制备PVP包覆的NaYF
4
纳米颗粒掺杂的P3HT:PCBM有源层共混薄膜,采用真空蒸镀法在有源层上制备作为空穴传输层的WO
3
薄膜,采用真空蒸镀法在WO
3
薄膜上制备作为顶电极的金属薄膜。本发明制备聚合物太阳能电池具有制备方法简单,成本低廉,可大面积成膜的特点,对聚合物太阳能电池器件的开路电压有明显的提升作用。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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