本发明公开了一种氮面氮化镓绒面太阳能电池及其制作方法，主要解决现有太阳电池效率低，成本高问题。其自下而上包括：蓝宝石衬底(1)、AlN缓冲层(2)、外延层(3)、阴极(4)、有机聚合物层(5)和阳极(6)。其中，AlN缓冲层(2)采用MOCVD生长，厚度为150-200nm；外延层(3)为采用MOCVD生长的厚度为2-3μm、电子浓度为1.0×10¹⁷cm^-3-2.0×10¹⁸cm^-3的氮面n-GaN，且与有机聚合物(5)的接触面为布满凹陷的绒面，凹陷密度为1.0×10⁷cm^-2-4.0×10⁸cm^-2，深度为450nm-1.5μm；阴极(4)是在氮面n-GaN层上淀积Ti和Al形成；有机聚合物(5)由在氮面n-GaN表面旋涂而成，其厚度为50-80nm；阳极(6)是在机聚合物(5)上淀积Au形成。本发明工艺简单、成本低，光电转换效率高，可用于商用和民用的发电系统。