本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，包括以下步骤：（1）对每一个低功率芯片加贴一个标签，每个标签对应一个ID，该标签至少包括以下信息：a、关键工序的时间，b、沉积炉批次，c、电极位置的格式编码；（2）将ID与电性能测试结果逐一对应并储存在测试电脑上，将所有的低功率芯片的ID与电性能测试结果对应并汇集到唯一个数据库；（3）需要分析某个低功率芯片时，通过对该低功率芯片的ID进行分析，提取出其标签上的所有电性能测试结果，以数据列表或者图表方式呈现。通过本发明能够得到有效的、有针对性的、准确的、完整的直观信息，显著提高了分析处理非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片的效率和准确性。