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一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法
编号:S000031174 刷新日期: 有效日期至:2020-10-27 浏览:2227 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 辽宁 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明属于冶金技术领域,特别涉及一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法。本发明方法是将晶体硅切割工序中产生的“超细碳化硅废料”、“一次切割废料”和“二次切割废料”这三种废料按照任意比例进行混合作为原料,进行酸洗除杂后进行高温真空处理,配入二氧化硅粉料,加入粘结剂,混合均匀后压制成球团并烘干,放入矿热炉或电弧炉内,进行高温冶炼制备出纯度≥99.9wt%的高纯硅,对高纯硅再进行定向凝固,得到太阳能级的多晶硅产品。本发明将晶体硅切割工序中产生的废料变废为宝,并通过电热冶炼的方法获得了太阳能级的多晶硅,实现了资源的高效再生利用。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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