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基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法
编号:S000031172 刷新日期: 有效日期至:2020-11-08 浏览:2453 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 安徽 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法,首先通过一次紫外光刻的方法在CuS准一维纳米结构上制备一对金属薄膜电极,这对金属薄膜电极通过所述CuS准一维纳米结构连通,与其呈欧姆接触;然后通过二次紫外光刻,在该对金属薄膜电极中插入铟锡氧化物(ITO)透明薄膜电极,所述ITO薄膜电极与所述CuS准一维纳米结交叉呈肖特基接触,形成CuS/ITO肖特基结纳米太阳能电池。本发明制备方法简单易行,稳定可靠,可以应用到多种准一维纳米尺寸的肖特基结纳米太阳能电池的制备。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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