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一种多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板及制备工艺
编号:S000031159 刷新日期: 有效日期至:2020-10-11 浏览:2185 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 河南 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板及制备工艺,包括衬底,衬底上自下而上依次设有多晶硅掺杂层、透明导电氧化层、CdS膜层、CdTe膜层和背接触层,其制备方法为在衬底上通过低压气相沉积法依次沉积多晶硅掺杂层、透明导电氧化层、CdS膜层、CdTe膜层和背接触层。该发明得到的多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板转换效率达到20%-22%,该制备工艺有效提高了电池的转换效率,最大限度降低太阳能光伏产品的成本,适于大规模产业化生产。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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    转让类型:科技服务