本发明公开了铜铟镓硒与钼的欧姆接触的方法及太阳能电池的制备方法。本发明采用在Mo薄膜上形成CIGS薄膜之后，在二者之间施加电源电压，扫描组件在CIGS薄膜的表面进行二维扫描，将Mo薄膜和CIGS薄膜之间的接触势垒击穿，降低了薄膜太阳能电池的内阻，为提高薄膜太阳能电池的效率创造了条件。本发明通过施加电压的方式，可以减少在Mo薄膜表面的额外处理，减少了流程，从而避免了额外工艺带来的不可控性，并且实现方法非常简单，为后续的产业化发展节约投入。