以CuInSe₂薄膜为基体电沉积制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的方法，它涉及一种制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的方法。本发明要解决现有方法制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜透过率低的问题。本发明的方法如下：一、对导电玻璃进行前处理；二、采用两电极体系恒压电沉积制备CuInSe₂薄膜；三、对CuInSe₂薄膜进行热处理；四、采用两电极体系恒压电沉积制备ZnS薄膜；五、对ZnS薄膜进行热处理。本发明的方法制备的太阳能电池缓冲层ZnS薄膜透过率达到了80%~90%，而且大大节省了生产成本，还具有沉积速率快、操作简单、安全等特征，非常适合大规模制备ZnS薄膜。本发明应用于太阳能电池领域。