本发明公开了一种太阳能单晶硅电池的单面抛光工艺，其目的在于解决双面抛光对单晶硅片减薄量过大，导致硅片过薄的问题；链式单面碱抛光液反应难控制的问题；链式酸抛光污染大，废水处理困难的问题。本发明包括前道工艺、背面抛光、丝网印刷与烧结三大步骤，具有抛光液无金属离子污染、硅片减薄量低、无需刻蚀工艺、抛光液调整方便、设备成本低的优点。