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> 技术详情
晶体硅太阳能电池栅状阵列电极及其制备方法与应用
编号:S000031099
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-27
浏览:
2448
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 广东
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池栅状阵列电极及其制备方法与应用。本发明通过将含有金属底层的半导体晶体硅片置于镀液中,含有金属底层的半导体晶体硅片的背电极通过导线与铂片连接,其前电极被光源进行照射,进行光诱导沉积;将光诱导沉积的半导体晶体硅用水冲洗,接着将表面处理剂附着于半导体晶体硅上;然后清洗、烘干,得到晶体硅太阳能电池栅状阵列电极。本发明所提供的方法简单,易掌握,所需设备少,生产效率较高,成本较低,污染较小,提高了太阳能转换效率、工艺简单稳定;得到的晶体硅太阳能电池栅状阵列电极光亮、均匀、结合力好,而且槽液容易维护。本发明不仅有良好的经济效益,还有巨大的社会效益。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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