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一种薄膜太阳能电池吸收层Cu(In,Ga)Se2薄膜的制备方法
编号:S000031056 刷新日期: 有效日期至:2020-11-22 浏览:2444 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 广东 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开的是一种制备高质量薄膜太阳能电池吸收层Cu(In,Ga)Se2薄膜的新方法。采用离子束溅射沉积法,高纯度的Cu、In、Se和CuxGa1-x合金作为溅射靶材,通过精确控制离子束溅射参数,先后溅射元素或合金靶材制备前躯体薄膜叠层或周期叠层薄膜,在同一真空环境下,高温原位热处理制备所述Cu(In,Ga)Se2薄膜。本发明提供薄膜太阳能电池吸收层Cu(In,Ga)Se2薄膜制备的方法,是一种掺杂工艺优化、操作简单和提高原材料利用率的制备方法,实现在CuInSe2薄膜基础上掺杂Ga元素,并且能够有效控制Ga元素径向分布,制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜结构与性能均满足高效率光伏器件的性能要求,为太阳能电池的开发利用开辟了新的途径。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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