本发明公开了一种用于太阳能电池的发射极制作工艺，包括如下步骤：步骤A：采用扩散工艺在基体硅片（1）表面制作PN结形成表层杂质分布层（2）；步骤B：对步骤A中的表层杂质分布层（2）进行氧化处理，在表层杂质分布层（2）表面快速生长一层均匀分布的氧化层（3）；步骤C：将步骤B中的氧化层（3）去除。解决常规扩散工艺无法避免产生“死层”的现象，进一步减少表面浓度，提高少子寿命，提高电池的转化效率，降低太阳能电池的生产成本。