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GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法
编号:S000030926 刷新日期: 有效日期至:2020-10-08 浏览:2255 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池,包括Ge衬底层,以及在所述Ge衬底层上依次设置的第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和(In)GaAs或Ge的接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池的制备方法,包括步骤:1)提供一Ge衬底层;2)在Ge衬底层表面生长第一Ge子电池;3)在第一Ge子电池表面生长第一隧穿结;4)在第一隧穿结表面生长第二Ge子电池;5)在第二Ge子电池表面生长第二隧穿结;6)在第二隧穿结表面生长GaAs子电池;7)在GaAs子电池表面生长第三隧穿结;8)在第三隧穿结表面生长GaInP子电池;9)在GaInP子电池表面生长接触层。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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