本发明公开了具有背面TCO层的CIS/CIGS系太阳能电池及其制造方法。本发明CIS/CIGS系太阳能电池包括：基板；第一钼电极与第二钼电极，是在基板上按照预定间距分离而并列配置的两层钼电极；TCO层，配置在第二钼电极的上表面及侧面上；缓冲层，配置在TCO层的上部及侧面上，在TCO层与吸光层之间缓冲能带隙差异；吸光层，配置在第一钼电极、缓冲层及第一钼电极与缓冲层之间暴露的一部分基板上；及防反射层，配置在吸光层上，尽量减少外部所照射的光线的反射。凭此，把缓冲层与TCO层配置在吸光层的背面而清除了吸光层上部中降低光入射量的阻碍结构，尽量增加吸光层的入射光量而最终提高太阳能电池的能量转换效率。