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一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法
编号:S000030849 刷新日期: 有效日期至:2020-12-14 浏览:2438 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 河南 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明属于太阳能光伏电池技术领域,特别涉及一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法;所述薄膜太阳能电池包括衬底,衬底上依次是背电极、p型半导体微米/纳米二级阵列、n型半导体层、窗口层和金属栅格电极。本发明应用化学浴沉积技术在Cu2S微米/纳米二级阵列的基础上,制备出微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池的吸收层,制备方法简单,相比于需要高真空条件或者高温条件制备吸收层的方法,该技术具有成本较低,对设备要求不高,反应物容易得到,制备温度较低,反应条件易控制、可以方便地进行大面积应用等优点。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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