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> 技术详情
一种太阳能电池制备方法
编号:S000030834
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-14
浏览:
3286
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 山东
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种太阳能电池制备方法。它具体有如下步骤:1)将制绒后的硅片表面制作发射极;2)将步骤1所得硅片采用HF酸溶液进行磷硅玻璃去除;3)将步骤2所得硅片表面制作二氧化硅层;4)将步骤3所得硅片再依次采用周边刻蚀、沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。可以有效的提高扩散方阻的均匀性,提高少数载流子寿命;另外,氧化硅的钝化作用减少了硅悬空键,减少表面态,可使短路电流密度提高0.1-1mA/cm
2
,开路电压提高3-10mV,转化效率提高0.1-0.5%;制作氧化硅后再进行边缘刻蚀可以有效的减少边缘漏电,提高电池的并联电阻。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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