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> 技术详情
具有无发射极区的太阳能电池及其制备方法
编号:S000030801
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-02
浏览:
2626
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及太阳能电池技术领域,特别是一种具有无发射极区的太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池在主栅下具有无发射极区,主栅覆盖的区域大于无发射极区,硅基体受光面的无发射极区外的其他区域为具有发射极的发射极区,主栅和硅基体之间具有隔绝主栅和硅基体的介质膜。其制备方法为:在热扩散或者离子注入掺杂工艺中,通过扩散掩模或离子注入挡板保护主栅下的无发射极区,在无发射极区外的其他区域形成均匀发射极或选择性发射极,然后在硅基体的受光面镀介质膜,在介质膜上制作栅线。本发明的有益效果是:将主栅下的区域设为无发射极,可以进一步降低电池的反向饱和电流,同时利用介质膜钝化,提高电池开路电压和短路电流。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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