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> 技术详情
一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法
编号:S000030794
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-26
浏览:
2367
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 辽宁
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明属于晶体硅太阳能电池的技术领域,具体地说是一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法。所述结构包括基区、PN结、发射区、第一介质层、第二介质层、第三介质层、铝薄层、第一本征氢化非晶硅层、第二本征氢化非晶硅层、正面电极及背面电极,其中PN结位于基区和发射区之间,第一介质层作为正面减反射层和钝化层,第二介质层作为背面钝化层,所述第三介质层作为背面介质层的盖层,第一本征氢化非晶硅层位于第一介质层和发射区之间,第二本征氢化非晶硅层位于基区和第二介质层之间,铝薄层位于第三介质层的外侧,正面电极和背面电极分别置于晶硅太阳能电池正面和背面。本发明利用微波PECVD方法实现高质量的背表面钝化,可以提高转化效率1%。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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