本发明涉及太阳能电池技术领域，提供一种I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其包括如下步骤：配制正硅酸烷基酯的酸催化溶液；将所述正硅酸烷基酯的酸催化溶液放置0.5～6h，然后加入NH₄OH溶液，获得硅溶胶；在异丙醇气氛中将硅溶胶涂覆在介质上；将上述涂敷硅溶胶后的介质继续在异丙醇气氛中老化5～75min，然后浸泡在异丙醇溶液中老化，获得老化的凝胶薄膜；将老化的凝胶薄膜升温干燥，升温速率为10～180℃/s，升温至150～500℃后保持10～75min，获得所述I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层。上述方法简单，适合批量生产，其制备的I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层能够有效提高太阳能电池的效率。