本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法，包括如下步骤：(1)将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内，升温至900~1100℃，通氮气以及较大流量的硼源、氧气进行硼扩散，扩散时间为5~60min；(2)保持步骤(1)中的温度通入氮气以及较低流量的硼源、氧气进行硼扩散，扩散时间为15~80min；(3)保持步骤(1)中的温度或升温至910~1100℃，通入氮气、以及较大流量的硼源、氧气进行硼扩散，扩散时间为2~30min；(4)完成扩散过程。本发明的硼扩散方法在硅片表层较浅的深度范围内形成较高的杂质浓度，以利于形成良好的欧姆接触；降低了扩散层较深范围内的杂质浓度，减少了俄歇复合和由于诱生缺陷产生的复合，提高少子寿命，从而提高电池性能。