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一种InGaN/Si双结太阳能电池的制备方法
编号:S000030671 刷新日期: 有效日期至:2020-12-01 浏览:2275 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池的制备方法,包括在n-Si衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、n-InxGa1-xN层和p-InxGa1-xN层,并蒸镀正、负电极,其特点是:①在n-Si衬底和AlN成核层之间制p-Si层;②在p-InxGa1-xN层上制半透明电流扩展层;③在n-Si衬底背面制负电极。本发明由于在n-Si衬底和AlN成核层之间有p-Si层,p-Si层与n-Si衬底形成了Si底电池,易于制备、电池总转换效率高;蒸镀半透明电流扩展层,抗辐射能力强,电池使用寿命长;负电极蒸镀于n-Si衬底下面,简化了工艺,降低了成本,还可当反射镜使用,进一步提高了电池的总转换效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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