用户登录
用户注册
English
技术供应
>技术供应
>技术需求
>协作成员
>专家委员
>新闻资讯
首页
中心简介
新闻资讯
工作动态
行业资讯
特别关注
热点视频
技术供应
技术需求
协作成员
专家智库
专家咨询委员会
数字展会
成功案例
配套服务
下载中心
《中阿科技论坛》
您当前的位置:
首页
>
供应列表
> 技术详情
一种InGaN/Si双结太阳能电池的制备方法
编号:S000030671
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-01
浏览:
2275
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池的制备方法,包括在n-Si衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、n-In
x
Ga
1-x
N层和p-In
x
Ga
1-x
N层,并蒸镀正、负电极,其特点是:①在n-Si衬底和AlN成核层之间制p-Si层;②在p-In
x
Ga
1-x
N层上制半透明电流扩展层;③在n-Si衬底背面制负电极。本发明由于在n-Si衬底和AlN成核层之间有p-Si层,p-Si层与n-Si衬底形成了Si底电池,易于制备、电池总转换效率高;蒸镀半透明电流扩展层,抗辐射能力强,电池使用寿命长;负电极蒸镀于n-Si衬底下面,简化了工艺,降低了成本,还可当反射镜使用,进一步提高了电池的总转换效率。
分享到:
申请对接
收藏此供应
推荐给好友
穿越到手机
联系方式
在线QQ:
机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式:
相似供应
一种光伏电站多台逆变器协调控制装置及控制方法
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
减反射镀膜溶液、其制备方法和光伏玻璃及其制备方法
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
光伏并网逆变器的冗余保护电路及包括该电路的逆变器
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
一种晶硅光伏电池用背面锡电极浆料及其制备方法
所在区域:中国
转让类型:
技术转让