本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池的制备方法，包括在n-Si衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、n-In_xGa_1-xN层和p-In_xGa_1-xN层，并蒸镀正、负电极，其特点是：①在n-Si衬底和AlN成核层之间制p-Si层；②在p-In_xGa_1-xN层上制半透明电流扩展层；③在n-Si衬底背面制负电极。本发明由于在n-Si衬底和AlN成核层之间有p-Si层，p-Si层与n-Si衬底形成了Si底电池，易于制备、电池总转换效率高；蒸镀半透明电流扩展层，抗辐射能力强，电池使用寿命长；负电极蒸镀于n-Si衬底下面，简化了工艺，降低了成本，还可当反射镜使用，进一步提高了电池的总转换效率。