本发明公开一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，包括反应腔室、磷源输出装置、恒温加热装置，其特征在于还包括去离子水装置，所述的去离子水装置设置在恒温加热装置上方。本发明的有益效果：本发明通过在恒温加热装置上方设置去离子水装置，该去离子水装置内部的温度由温度控制器进行控制，使用该设备可以在潮湿的环境下对硅片进行磷扩撒及表面氧化，使表面形成的二氧化硅掩膜层结构更加致密，膜层更均匀，能够有效阻挡磷源的二次扩散，反应完成后的废气由排气管道排出。