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一种SiC衬底单节太阳能电池外延结构及其制备方法
编号:S000030586 刷新日期: 有效日期至:2020-10-12 浏览:2478 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 山东 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了一种SiC衬底单节太阳能电池外延结构及其制备方法。以SiC衬底为衬底采用MOCVD法制得,依次包括SiC衬底、SiGe缓冲层、Ge缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs?n-基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层;所述SiC衬底厚度为400~450μm。本发明使用SiC作为衬底生长半导体GaAs薄膜材料,可代替常规的单晶硅、多晶硅太阳能电池,同时利用本发明的SiC衬底单节太阳能电池外延结构制备的SiC衬底单节太阳能电池是转化效率高的单层薄膜太阳能电池。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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