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> 技术详情
太阳能电池CIGS吸收层靶材的制备方法
编号:S000030578
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-16
浏览:
2498
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种CIGS薄膜太阳能电池吸收层,具体说是太阳能电池CIGS吸收层靶材的制备方法,其包括将Cu、In、Ga分别置于一容器的上层加温区的独立空间,按配比要求将Se置于下层加温区;对上、下层加温区分别加温形成对流制备粉末;将粉末加工得到所需的块体靶材的步骤。本发明根据各材料的熔点和沸点的不同,采用不同的加温方式,使Se以气态,Cu、In或Ga以液态的形式形成对流,使四种元素的混合更加充分,不仅进一步增加了Se在合金中分布的均匀度,提高了靶材的致密度,而且减少了反应时间,提高了生产效率;同时,由于本发明是根据材料熔点和沸点的不同采用不同温区加温,可对熔点较低的材料进行较低温度的熔化,而避免了一律采用较高温度对各材料进行熔化,节约了成本。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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