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> 技术详情
高方阻太阳能电池制作方法
编号:S000030573
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-17
浏览:
2263
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种高方阻太阳能电池制作方法,特点是包括以下步骤:首先,通过预扩散处理,在硅片表面制作发射结。接着,利用湿法刻蚀或是等离子刻蚀设备去除硅片边结,采用RCA溶液对硅片进行清洗。之后,将硅片置入扩散炉中处理,令结深增加,在硅片表面形成二氧化硅层。然后,通过PECVD设备在发射结表面的二氧化硅层上制作氮化硅膜。最后,通过利用丝网印刷设备制备正面电极、背面电极、背面电场,利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。由此,利用二次高温推进发射结工序制作高方阻太阳电池,结表面掺杂浓度降低。同时在硅片表面形成适当的二氧化硅膜,该膜层与随后制作的氮化硅膜形成堆叠层,提高电池表面钝化性能。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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