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> 技术详情
一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法
编号:S000030476
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-17
浏览:
2353
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 福建
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底,在衬底上设有凹槽,在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层,在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜,在半导体层底部蒸镀背电极,当衬底为p型半导体层时,半导体层为n型半导体层;当衬底为n型半导体层时,半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结,即内建电场呈与表面平行分布的结构,光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动,同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下,所述横向结构能够大大缩短光生载流子的漂移路程。大大降低电池对硅材料的纯度要求,可显著地降低硅太阳能电池的材料成本。
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认证方式:
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