本发明公开了一种具有高并联电阻的晶体硅太阳能电池的镀膜方法，包括采用管式PECVD沉积减反射膜，管式PECVD镀膜时炉体内温度从炉口到炉尾依次设定为：380~420℃、370~410℃、360~400℃、360~400℃、360~400℃。该方法能解决现有技术中采用管式PECVD镀膜时制得的晶体硅太阳能电池的并联电阻偏低的问题，能提高晶体硅太阳能电池的并联电阻。