CuInS₂薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，它涉及太阳能电池吸收层的制备方法。本发明要解决目前制备CuInS₂薄膜太阳能电池吸收层成本高，不能制备大面积的薄膜，且原材料的利用率不高的问题。本发明的方法如下：一，对基底进行清洗；二、取10mmol·L^-1的CuSO₄，7.5mmol·L^-1的In₂(SO₄)₃，60mmol·L^-1的Na₂S₂O₃和8.5mmol·L^-1的C₆H₅O₇Na₃配制成电解液，对基底进行电沉积；三、对基底进行热处理。本发明采用电化学沉积法制备出产业化的非真空、低成本CIS₂薄膜。本发明应用于太阳能电池领域。