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一种晶体硅太阳能电池及其制作方法
编号:S000030036 刷新日期: 有效日期至:2020-10-05 浏览:2253 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 海南 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了一种晶体硅太阳能电池及其制作方法,该方法包括:S1、获取当前批的镀有氮化硅膜的硅片,并检测每个所述硅片上的氮化硅膜的厚度;S2、计算检测到的所述氮化硅膜的厚度均值;S3、判断所述厚度均值是否在预设厚度范围内;如果否,则执行步骤S4;如果是,则执行步骤S6;S4、根据预设浓度的氢氟酸溶液和预设时间,清洗掉每个所述硅片上的所述氮化硅膜;S5、对每个所述硅片镀氮化硅膜,进入步骤S1;S6、在所述硅片上形成正面电极和背面电极,生成晶体硅太阳能电池。采用该方法制作晶体硅太阳能电池,保证了硅片的机械强度,提高了成品合格率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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