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> 技术详情
一种晶体硅太阳能电池及其制作方法
编号:S000030036
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-05
浏览:
2253
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 海南
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供了一种晶体硅太阳能电池及其制作方法,该方法包括:S1、获取当前批的镀有氮化硅膜的硅片,并检测每个所述硅片上的氮化硅膜的厚度;S2、计算检测到的所述氮化硅膜的厚度均值;S3、判断所述厚度均值是否在预设厚度范围内;如果否,则执行步骤S4;如果是,则执行步骤S6;S4、根据预设浓度的氢氟酸溶液和预设时间,清洗掉每个所述硅片上的所述氮化硅膜;S5、对每个所述硅片镀氮化硅膜,进入步骤S1;S6、在所述硅片上形成正面电极和背面电极,生成晶体硅太阳能电池。采用该方法制作晶体硅太阳能电池,保证了硅片的机械强度,提高了成品合格率。
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认证方式:
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