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> 技术详情
一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法
编号:S000029820
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-18
浏览:
2459
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 福建
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。横向结构的PIN太阳能电池设有p型(或n型)半导体层,p型(或n型)半导体层上设有凹槽,在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层,在本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜,在p型(或n型)半导体层底部蒸镀背电极。背电极的底部设有衬底。制备方法包括晶体硅等体材料太阳能电池和非晶硅等薄膜太阳能电池。提高晶体硅、非晶硅等半导体太阳能电池的转换效率,并有效降低其材料成本。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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