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背面接触硅太阳能电池方法及含背面接触的硅太阳能电池
编号:S000029415 刷新日期: 有效日期至:2020-11-11 浏览:2062 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种用于背面接触硅太阳能电池的方法以及含此背面接触的硅太阳能电池。该方法包括:当背面接触硅太阳能电池时,铝被沉积在预处理硅太阳能电池本体的背面表面上,其中无铝区域保持在所述背面表面上。接着,适于焊接的无银层被沉积在所述硅太阳能电池本体的所述背面表面上,所述无银层以非接触方式提供给铝,所述适于焊接的所述无银层至少覆盖所述背面表面上的所述无铝区域。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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