本发明涉及一种太阳能电池扩散方法，其特征在于它包括以下工艺步骤：步骤一、第一次氧化；步骤二、扩散；步骤三、第二次氧化。且步骤二扩散分为第一次扩散、第二次扩散以及第三次扩散。本发明太阳能电池扩散方法，以P型硅片为扩散源衬底，扩散阶段经过三步分步扩散，小氮和氧气的通入流量从大到小，通入时间从长到短，将三步的磷源浓度由高到低驱入衬底，使得表面浓度逐渐减少，降低表面复合及缺陷浓度，并形成梯度掺杂，拓宽P-N结区的宽度，提高开路电压；同时较深的结深，可以降低串联电阻，提升太阳电池转换效率。该太阳能电池扩散方法具有无需增加工序，成本较低，能够增加晶体硅太阳电池的转换效率的优点。