本发明涉及一种Cu₂FeSnS₄纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法分五步：首先得到SnS薄膜；其次，在SnS薄膜上制得FeS薄膜；第三，将第二步所得样品在空气中400oC退火3小时；第四，将第三步退火得到的样品在一定摩尔浓度的硫酸铜水溶液中浸泡一定的时间；第五，将第四步得到的样品在H₂S(5%)/Ar的混合气体中，500oC退火2小时，最终得到高质量的Cu₂FeSnS₄纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu₂FeSnS₄纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。同时Cu₂FeSnS₄纳米晶也是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。