本发明公开一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，包括：对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力80mTorr，时间为4分钟；对硅片进行预处理，温度420℃，一氧化二氮流量为3.8～5.2slm，压力为1700mTorr，预处理3分钟；压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.2～0.5分钟；预沉积，温度为420℃，氨气流量为0.1～0.9slm，硅烷流量为180～200sccm，一氧化二氮流量为3.5～5.1slm，压力为1000mTorr，射频功率4300瓦，持续时间0.3～0.5分钟；沉积，温度为450℃，氨气流量为2000～2200sccm，硅烷流量为7000～8500sccm，一氧化二氮流量为2～3.4slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3～5分钟；氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6～12slm，压力为10000mTorr，吹扫时间5～8分钟。本发明制备的减反射膜具有抗PID效应，因此，光伏组件的抗衰减能力大幅提高。